Skip to Content

Instrukcja korzystania z Biblioteki

Serwisy:

Ukryty Internet | Wyszukiwarki specjalistyczne tekstów i źródeł naukowych | Translatory online | Encyklopedie i słowniki online

Translator:

Kosmos
Astronomia Astrofizyka
Inne

Kultura
Sztuka dawna i współczesna, muzea i kolekcje

Metoda
Metodologia nauk, Matematyka, Filozofia, Miary i wagi, Pomiary

Materia
Substancje, reakcje, energia
Fizyka, chemia i inżynieria materiałowa

Człowiek
Antropologia kulturowa Socjologia Psychologia Zdrowie i medycyna

Wizje
Przewidywania Kosmologia Religie Ideologia Polityka

Ziemia
Geologia, geofizyka, geochemia, środowisko przyrodnicze

Życie
Biologia, biologia molekularna i genetyka

Cyberprzestrzeń
Technologia cyberprzestrzeni, cyberkultura, media i komunikacja

Działalność
Wiadomości | Gospodarka, biznes, zarządzanie, ekonomia

Technologie
Budownictwo, energetyka, transport, wytwarzanie, technologie informacyjne

Recent progress in metal-organic chemical vapor deposition of ##IMG## [http://ej.iop.org/images/0268-1242/29/11/113001/toc_sst499638ieqn1.gif] {$\left( 000\bar{1} \right)$} N-polar group-III nitrides

Progress in metal-organic chemical vapor deposition of high quality ##IMG##
[http://ej.iop.org/images/0268-1242/29/11/113001/sst499638ieqn2.gif] {$\left( 000\bar{1} \right)$}
N-polar (Al, Ga, In)N films on sapphire, silicon carbide and silicon substrates is reviewed with
focus on key process components such as utilization of vicinal substrates, conditions ensuring a
high surface mobility of species participating in the growth process, and low impurity
incorporation. The high quality of the fabricated films enabled the demonstration of N-polar (Al,
Ga, In)N based devices with excellent performance for transistor applications. Challenges related to
the growth of high quality N-polar InGaN films are also presented.

Kolekcje IOP - REVIEWS 2014/08/22 - 19:33 Czytaj