Skip to Content

Instrukcja korzystania z Biblioteki

Serwisy:

Ukryty Internet | Wyszukiwarki specjalistyczne tekstów i źródeł naukowych | Translatory online | Encyklopedie i słowniki online

Translator:

Kosmos
Astronomia Astrofizyka
Inne

Kultura
Sztuka dawna i współczesna, muzea i kolekcje

Metoda
Metodologia nauk, Matematyka, Filozofia, Miary i wagi, Pomiary

Materia
Substancje, reakcje, energia
Fizyka, chemia i inżynieria materiałowa

Człowiek
Antropologia kulturowa Socjologia Psychologia Zdrowie i medycyna

Wizje
Przewidywania Kosmologia Religie Ideologia Polityka

Ziemia
Geologia, geofizyka, geochemia, środowisko przyrodnicze

Życie
Biologia, biologia molekularna i genetyka

Cyberprzestrzeń
Technologia cyberprzestrzeni, cyberkultura, media i komunikacja

Działalność
Wiadomości | Gospodarka, biznes, zarządzanie, ekonomia

Technologie
Budownictwo, energetyka, transport, wytwarzanie, technologie informacyjne

Luminescence associated with stacking faults in GaN

Basal-plane stacking faults are an important class of optically active structural defects in
wurtzite semiconductors. The local deviation from the 2H stacking of the wurtzite matrix to a 3C
zinc-blende stacking induces a bound state in the gap of the host crystal, resulting in the
localization of excitons. Due to the two-dimensional nature of these planar defects, stacking faults
act as quantum wells, giving rise to radiative transitions of excitons with characteristic energies.
Luminescence spectroscopy is thus capable of detecting even a single stacking fault in an otherwise
perfect wurtzite crystal. This review draws a comprehensive picture of the luminescence properties
related to stacking faults in GaN. The emission energies associated with different types of stacking
faults as well as factors that can shift these energies are discussed. In this context, the
importance of the quantum-confined Stark effect in these zinc-blende/wurtzite heterostructures,
which results from the...

Kolekcje IOP - REVIEWS 2014/10/01 - 22:59 Czytaj